F3L25R12W1T4B27BOMA1
Infineon(英飞凌)
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¥201.24
1
IGBT管/模块
配置:半桥,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45 A,功率 - 最大值:215 W,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.25V @ 15V,25A
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厂牌
封装
价格(含税)
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渠道
F3L25R12W1T4_B27
英飞凌(INFINEON)
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1000+:¥201.24

500+:¥241.488

200+:¥301.86

1+:¥362.232

0

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F3L25R12W1T4B27
Infineon(英飞凌)
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10+:¥273.29

1+:¥282.04

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立即发货
F3L25R12W1T4B27BOMA1
英飞凌(INFINEON)
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30+:¥349.2

1+:¥628.56

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
配置 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 45 A
功率 - 最大值 215 W
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2.25V @ 15V,25A
电流 - 集电极截止(最大值) 1 mA
不同\xa0Vce 时输入电容 (Cies) 1.45 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块