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STGB30H60DLFB
ST(意法半导体)
D2PAK
¥24.19
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IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
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STGB30H60DLFB
ST(意法半导体)
D2PAK

100+:¥24.19

30+:¥26.85

10+:¥27.25

1+:¥27.84

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STGB30H60DLFB
意法半导体(ST)
D2PAK

1000+:¥24.5333

500+:¥28.2133

100+:¥30.6666

30+:¥34.3466

10+:¥41.7066

1+:¥49.0666

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 120 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,30A
功率 - 最大值 260 W
开关能量 393µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 149 nC
25°C 时 Td(开/关)值 -/146ns
测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB