FDMC3612
onsemi(安森美)
Power-33
¥1.768
92,293
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A(Ta),16A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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FDMC3612
ON(安森美)
8-MLP(3.3x3.3)

3000+:¥1.7

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2390

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ON(安森美)
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1000+:¥1.84296

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100+:¥1.90848

10+:¥1.932

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安森美(onsemi)
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.3A(Ta),16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 110 毫欧 @ 3.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 21 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 880 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 2.3W(Ta),35W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerWDFN