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TPM2008P3
TECH PUBLIC(台舟)
DFN1006-3L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：190mΩ@2.5V,550mA
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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TPM2008P3
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TECH PUBLIC(台舟)
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DFN1006-3L
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20000+:￥0.0795 10000+:￥0.0859 2000+:￥0.0976 600+:￥0.1111 200+:￥0.1336 20+:￥0.1741 |
7280 |
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立即发货
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立创商城
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TPM2008P3
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TECH PUBLIC/台舟电子
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DFN-1006-3L
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30000+:￥0.0833 10000+:￥0.0859 |
100000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@2.5V,550mA |