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SI2337DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2337DS-T1-GE3
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Vishay
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SOT-23-3
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3000+:￥1.4068 2000+:￥1.4496 1000+:￥1.4925 500+:￥1.6716 100+:￥1.8722 10+:￥2.0969 |
1470 |
2343
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壹探芯城
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SI2337DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥1.5 1+:￥1.58 |
487 |
24+
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圣禾堂
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SI2337DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥1.56 1+:￥1.6432 |
485 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2337DS-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥1.65 6000+:￥1.7813 3000+:￥1.875 800+:￥2.625 200+:￥3.75 10+:￥6.1031 |
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油柑网
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SI2337DS-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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100+:￥2.068 20+:￥2.574 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 1.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 500 pF @ 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 760mW（Ta），2.5W（Tc） |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |