DMP4025SFG-13
DIODES(美台)
PowerDI3333-8
¥0.899
15,235
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.65A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
DMP4025SFG-13
DIODES(美台)
PowerDI3333-8

3000+:¥0.899

1+:¥0.949

2575

23+
立即发货
DMP4025SFG-13
DIODES(美台)
PowerDI3333-8

6000+:¥0.9485

3000+:¥0.9662

500+:¥0.9957

150+:¥1.062

50+:¥1.2638

5+:¥1.5694

7085

-
立即发货
DMP4025SFG-13
Diodes(达尔)
PowerDI

1500+:¥1.0439

750+:¥1.111

100+:¥1.243

40+:¥1.551

2575

-
3天-15天
DMP4025SFG-13
美台(DIODES)
PowerDI3333-8

30000+:¥1.144

6000+:¥1.235

3000+:¥1.3

800+:¥1.82

200+:¥2.6

10+:¥4.2315

3000

-
DMP4025SFG-13
Diodes(美台)
PowerDI3333-8

3000+:¥0.9776

1500+:¥1.03168

750+:¥1.092

100+:¥1.2272

1+:¥1.5288

2781

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.65A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 33.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1643 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 810mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN