HYG013N03LS1C2
HUAYI(华羿微)
PDFN5x6-8
¥1.0889
9,570
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):150A,导通电阻(RDS(on)):2.8mΩ@4.5V,耗散功率(Pd):65W
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HYG013N03LS1C2
HUAYI(华羿微)
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规格参数
属性 属性值
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 150A
导通电阻(RDS(on)) 2.8mΩ@4.5V
耗散功率(Pd) 65W