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DMP6180SK3Q-13
DIODES(美台)
TO-252(DPAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DMP6180SK3Q-13
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DIODES(美台)
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TO-252(DPAK)
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1000+:￥1.32 500+:￥1.4 100+:￥1.54 30+:￥1.84 10+:￥2.09 1+:￥2.66 |
2276 |
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立即发货
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立创商城
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DMP6180SK3Q-13
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DIODES(美台)
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TO-252
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30+:￥1.617 10+:￥1.785 1+:￥2.191 |
3165 |
20+/21+
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在芯间
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DMP6180SK3Q-13
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美台(DIODES)
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TO-252
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25000+:￥1.5228 5000+:￥1.6439 2500+:￥1.7304 800+:￥2.4226 200+:￥3.4608 10+:￥5.6325 |
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油柑网
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DMP6180SK3Q-13
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DIODES INCORPORATED
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1000+:￥3.0745 100+:￥3.2728 1+:￥4.0663 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 984.7 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.7W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |