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4N65L
UMW(友台半导体)
TO-252
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：2.3Ω@10V，阈值电压(Vgs(th))：4V@250uA
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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4N65L
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UMW(友台半导体)
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TO-252
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2500+:￥0.505 1+:￥0.546 |
2440 |
25+
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圣禾堂
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UMW(广东友台半导体)
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TO-252
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2500+:￥0.5252 1+:￥0.56784 |
2438 |
25+
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硬之城
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4N65L
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UMW(友台半导体)
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TO-252
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5000+:￥0.527 2500+:￥0.54 500+:￥0.5615 150+:￥0.6098 50+:￥0.6486 5+:￥0.739 |
2330 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |