咨询/建议
DMP1005UFDF-7
DIODES(美台)
UDFN2020-6-EP
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
DMP1005UFDF-7
|
DIODES(美台)
|
U-DFN2020-6
|
3000+:￥0.654 1+:￥0.703 |
11922 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
DMP1005UFDF-7
|
Diodes(美台)
|
UDFN2020-6-EP
|
3000+:￥0.6656 1+:￥0.71552 |
11921 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
DMP1005UFDF-7
|
Diodes(达尔)
|
6-UDFN
|
3000+:￥0.7194 1500+:￥0.7733 200+:￥0.8888 50+:￥1.155 |
11922 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
DMP1005UFDF-7
|
DIODES(美台)
|
UDFN2020-6-EP
|
500+:￥0.8262 150+:￥1.004 50+:￥1.1465 5+:￥1.479 |
1215 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
DMP1005UFDF-7
|
Diodes(美台)
|
U-DFN2020-6
|
3000+:￥0.68848 1500+:￥0.74048 200+:￥0.85176 1+:￥1.1128 |
11933 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.5 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 47 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2475 pF @ 6 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |