咨询/建议
BSS139H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
BSS139H6327XTSA1
|
Infineon(英飞凌)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.499 1+:￥0.534 |
32973 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
BSS139 H6327
|
Infineon(英飞凌)
|
PG-SOT23-3
|
3000+:￥0.499 1+:￥0.534 |
352 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
BSS139 H6327
|
Infineon(英飞凌)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.51896 1+:￥0.55536 |
350 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
BSS139H6327XTSA1
|
Infineon(英飞凌)
|
PG-SOT-23-3
|
3000+:￥0.51896 1+:￥0.55536 |
32965 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
BSS139 H6327
|
英飞凌(INFINEON)
|
PG-SOT23-3
|
30000+:￥0.5489 6000+:￥0.5926 3000+:￥0.6238 800+:￥0.8733 100+:￥1.2476 20+:￥2.0305 |
352 |
-
|
油柑网
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 欧姆 @ 100µA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 56µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 3.5 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 76 pF @ 25 V |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |