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IRF7480MTRPBF
Infineon(英飞凌)
DirectFET
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：217A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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DirectFET-ME
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4800+:￥2.85 1+:￥2.97 |
9600 |
24+
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1000+:￥3.54 500+:￥3.69 100+:￥4.02 30+:￥4.77 10+:￥5.43 1+:￥6.63 |
4062 |
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立创商城
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DIRECTFET
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500+:￥3.98 100+:￥4.02 20+:￥4.53 1+:￥5.87 |
1347 |
22+/21+
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在芯间
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DIRECTFET
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48000+:￥4.972 9600+:￥5.3675 4800+:￥5.65 1000+:￥7.91 300+:￥11.3 10+:￥18.3908 |
5400 |
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油柑网
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4800+:￥2.964 2400+:￥3.0888 1200+:￥3.2448 100+:￥3.5048 1+:￥4.212 |
19200 |
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1-3工作日
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 217A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 毫欧 @ 132A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 185 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6680 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 96W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric ME |