BSS138LT3G
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.3424
655
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):50 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
厂家型号
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封装
价格(含税)
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渠道
BSS138LT3G
onsemi(安森美)
SOT-23

500+:¥0.3424

150+:¥0.3868

50+:¥0.446

5+:¥0.5643

655

-
立即发货
BSS138LT3G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

50000+:¥0.3888

10000+:¥0.4009

54925

-
10-15工作日
BSS138LT3G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

450+:¥0.5635

270+:¥0.6254

90+:¥0.684

18448

-
14-18工作日
BSS138LT3G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

10000+:¥0.28

1+:¥0.305

0

-
立即发货
BSS138LT3G
安森美(onsemi)
SOT-23

100000+:¥0.308

20000+:¥0.3325

10000+:¥0.35

1000+:¥0.49

300+:¥0.7

10+:¥1.1393

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.5 欧姆 @ 200mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 225mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3