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IRLML2030TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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价格(含税)
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IRLML2030TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23(Micro3)
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3000+:￥0.302 1+:￥0.323 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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6000+:￥0.3121 3000+:￥0.3333 500+:￥0.4211 150+:￥0.4741 50+:￥0.5448 5+:￥0.6861 |
22130 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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3000+:￥0.31408 1+:￥0.33592 |
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硬之城
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100+:￥0.3724 1+:￥0.392 |
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京北通宇
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-23
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30000+:￥0.4103 6000+:￥0.4429 3000+:￥0.4662 800+:￥0.6527 200+:￥0.9324 10+:￥1.5175 |
27000 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 110 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |