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NTHD4102PT1G
onsemi(安森美)
SMD-8P
场效应管(MOSFET)
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.9A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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NTHD4102PT1G
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onsemi(安森美)
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SMD-8P
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1000+:￥3.465 500+:￥3.6036 100+:￥3.9006 30+:￥4.61 10+:￥5.21 1+:￥6.29 |
1309 |
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立即发货
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立创商城
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NTHD4102PT1G
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安森美(onsemi)
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CHIPFET
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15000+:￥1.2713 3000+:￥1.4125 1500+:￥1.9493 |
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油柑网
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NTHD4102PT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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8-SMD
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1+:￥4.0357 |
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2324
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现货最快4H发
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京北通宇
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NTHD4102PT1G
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onsemi(安森美)
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SMD-8P
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500+:￥10.1 100+:￥10.6 20+:￥11.7 1+:￥14.5 |
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20+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.9A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 8.6nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 1.1W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |