AO3413
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
SOT-23
¥0.26
42,701
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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AO3413
AOS
SOT-23-3

3000+:¥0.26

1+:¥0.294

3005

25+
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AO3413
AOS
SOT-23

6000+:¥0.2614

3000+:¥0.2801

500+:¥0.3577

150+:¥0.4045

50+:¥0.4669

5+:¥0.5917

15135

-
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AO3413
AOS(美国万代)
SOT-23-3

3000+:¥0.2704

1+:¥0.30576

3001

25+
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AO3413
AOS(美国万代)
SOT-23

1200+:¥0.3364

600+:¥0.3398

100+:¥0.4435

10+:¥0.5621

774

-
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AO3413
AOS(美国万代)
SOT23-3

3000+:¥0.338

1500+:¥0.3822

200+:¥0.4394

90+:¥0.5753

3005

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 97 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6.1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 540 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-SMD,SOT-23-3 变式