DMN2056U-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1976
24,414
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
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DMN2056U-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.19

1+:¥0.215

3831

2年内
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DMN2056U-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.1976

1+:¥0.2236

3123

2年内
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DMN2056U-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.209

6000+:¥0.2256

3000+:¥0.2375

800+:¥0.3325

100+:¥0.475

20+:¥0.7731

3651

-
DMN2056U-7
DIODES(美台)
SOT-23

6000+:¥0.2298

3000+:¥0.2542

300+:¥0.3101

100+:¥0.3508

10+:¥0.4324

8300

-
立即发货
DMN2056U-7
Diodes(达尔)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

1500+:¥0.2795

200+:¥0.3211

110+:¥0.4979

3651

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 38 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 4.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 339 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 940mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3