咨询/建议
SI2309S
BORN(伯恩半导体)
SOT-23-3L
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.9A，导通电阻(RDS(on))：215mΩ@10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SI2309S
|
BORN(伯恩半导体)
|
SOT-23-3L
|
9000+:￥0.1805 6000+:￥0.1852 3000+:￥0.1948 300+:￥0.2296 100+:￥0.2454 10+:￥0.277 |
23180 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
SI2309S
|
BORN(伯恩半导体)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.181 1+:￥0.203 |
2817 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
SI2309S
|
BORN(伯恩)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.18824 1+:￥0.21112 |
2803 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
SI2309S
|
BORN(伯恩半导体)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.194 300+:￥0.229 100+:￥0.245 10+:￥0.277 |
4000 |
22+/23+
|
在芯间
|
|
|
SI2309S
|
BORN(伯恩)
|
SOT-23
|
1+:￥0.2131 |
0 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 215mΩ@10V |