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BSS314PEH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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BSS314PEH6327XTSA1
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.308 1+:￥0.33 |
26523 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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BSS314PEH6327
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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3000+:￥0.312 1+:￥0.333 |
548 |
23+
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立即发货
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圣禾堂
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BSS314PEH6327XTSA1
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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3000+:￥0.3172 1+:￥0.34008 |
26484 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSS314PEH6327
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.32448 1+:￥0.34632 |
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23+
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硬之城
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BSS314PEH6327XTSA1
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-23
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30000+:￥0.3355 6000+:￥0.3623 3000+:￥0.3813 800+:￥0.5338 100+:￥0.7626 20+:￥1.2412 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 140 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 6.3µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2.9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 294 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |