咨询/建议
SI2369DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SI2369DS-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
TO-236
|
3000+:￥0.892 1+:￥0.94 |
25495 |
2年内
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
SI2369DS-T1-GE3
|
VISHAY
|
SOT-23
|
1+:￥0.911 |
6785 |
2313
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
SI2369DS-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.92768 1+:￥0.9776 |
25493 |
2年内
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
SI2369DS-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.9812 1500+:￥1.034 750+:￥1.0967 100+:￥1.232 40+:￥1.529 |
25495 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
SI2369DS-T1-GE3
|
Vishay
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.9866 2000+:￥1.0359 1000+:￥1.0877 500+:￥1.1421 100+:￥1.2563 10+:￥1.3819 |
5000 |
22+
|
立即发货
|
壹探芯城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 29 毫欧 @ 5.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 36 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1295 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta），2.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |