AOD407
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252
¥0.76
110,450
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AOD407
AOS
TO252

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AOD407
AOS(美国万代)
TO-252-2(DPAK)

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AOS(美国万代)
TO-252,(D-Pak)

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AOS
TO-252

5000+:¥0.8063

2500+:¥0.8606

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150+:¥1.2702

50+:¥1.4329

5+:¥1.8127

75770

-
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AOD407
AOS
TO-252-2(DPAK)

25000+:¥0.836

5000+:¥0.9026

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800+:¥1.33

200+:¥1.9

10+:¥3.0924

592

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 115 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 20 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1185 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63