咨询/建议
NTR4003NT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
NTR4003NT1G
|
onsemi(安森美)
|
SOT-23
|
9000+:￥0.1773 6000+:￥0.1893 3000+:￥0.2134 300+:￥0.2693 100+:￥0.3094 10+:￥0.3897 |
4630 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
NTR4003NT1G
|
ON(安森美)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.18309 1000+:￥0.18649 500+:￥0.18989 100+:￥0.19312 10+:￥0.1955 |
26117 |
21+
|
现货
|
硬之城
|
|
NTR4003NT1G
|
ON(安森美)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.188 1+:￥0.212 |
29753 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
NTR4003NT1G
|
ON SEMICONDUCTOR
|
SOT-23-3
|
1000+:￥0.1902 100+:￥0.198 1+:￥0.2057 |
25077 |
2415
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
NTR4003NT1G
|
ON(安森美)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.1924 1+:￥0.21736 |
29746 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.15 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 21 pF @ 5 V |
| 功率耗散（最大值） | 690mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |