FDS4435BZ
华轩阳
SOP-8
¥0.398
15,511
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss):30V,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,耗散功率(Pd):2.5W
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FDS4435BZ
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOP-8

3000+:¥0.398

1+:¥0.426

2966

24+
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FDS4435BZ
Huaxuanyang(华轩阳)
SOP-8

3000+:¥0.41392

1+:¥0.44304

2964

24+
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FDS4435BZ
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOP-8

6000+:¥0.46

3000+:¥0.4847

500+:¥0.6055

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50+:¥0.7492

5+:¥0.9133

6610

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FDS4435BZ
HXY(华轩阳)
SOP-8

1500+:¥0.5262

200+:¥0.5793

80+:¥0.7096

2966

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FDS4435BZ
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
SOP-8

4500+:¥0.4208

1500+:¥0.4334

500+:¥0.4502

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规格参数
属性 属性值
漏源电压(Vdss) 30V
导通电阻(RDS(on)) 20mΩ@10V
耗散功率(Pd) 2.5W