咨询/建议
BSS131H6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：240 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
BSS131H6327XTSA1
|
Infineon(英飞凌)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.225 1+:￥0.254 |
58967 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
BSS131H6327XTSA1
|
Infineon(英飞凌)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.234 1+:￥0.26416 |
58762 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
BSS131H6327
|
Infineon(英飞凌)
|
SOT-23
|
6000+:￥0.2366 3000+:￥0.2527 500+:￥0.2848 150+:￥0.325 50+:￥0.3785 5+:￥0.4856 |
14425 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
BSS131H6327XTSA1
|
Infineon(英飞凌)
|
SOT-23
|
500+:￥0.2475 100+:￥0.261 10+:￥0.288 1+:￥0.2993 |
2900 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
BSS131 H6327
|
Infineon(英飞凌)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.2488 1200+:￥0.2765 600+:￥0.2793 100+:￥0.3682 10+:￥0.47 |
494 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 240 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 56µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 3.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 77 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |