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50N06
UMW(友台半导体)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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50N06
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UMW(友台半导体)
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TO-252-2
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2500+:￥0.53 1+:￥0.573 |
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圣禾堂
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UMW(广东友台半导体)
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T0-252
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2500+:￥0.5512 1+:￥0.59592 |
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硬之城
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UMW(友台半导体)
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TO-252
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5000+:￥0.56 2500+:￥0.6033 500+:￥0.704 150+:￥0.8657 50+:￥0.9953 5+:￥1.2977 |
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UMW(友台)
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T0-252
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2500+:￥0.583 1250+:￥0.6303 100+:￥0.7436 60+:￥0.9658 |
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UMW
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TO-252-2
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1+:￥0.637 |
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 50 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2928 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 105W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |