咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@4.5V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：400mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：31mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：11.8A，导通电阻(RDS(on))：11.5mΩ@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：26mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：75V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：6.8mΩ@10V,30A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：24mΩ@10V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：7.5Ω@10V,500mA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V,2.8A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：42mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：270mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：71mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：750mW
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：19mΩ@4.5V,5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：5.7mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：87A，导通电阻(RDS(on))：9.3mΩ@10V,44A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V,200mA
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：38mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：53A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@4.5V,13A，耗散功率(Pd)：30W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@4.5V,10A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：47A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：5.6mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：31mΩ@10V,8A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：1.8A，导通电阻(RDS(on))：300mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：260mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：750mA，导通电阻(RDS(on))：800mΩ@1.8V,0.45A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@10V,2A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V,25A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：55A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@4.5V
不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Ta），85A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@10V,10A
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，耗散功率(Pd)：83W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.85Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：400mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V，耗散功率(Pd)：200mW
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：600mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：59mΩ@2.5V,4A