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IRF9530NPBF
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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Infineon(英飞凌)
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TO-220AB
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1000+:￥0.93 1+:￥1.01 |
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1000+:￥0.9672 1+:￥1.0504 |
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硬之城
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5000+:￥1.03 2000+:￥1.0995 500+:￥1.2152 150+:￥1.4751 50+:￥1.6834 5+:￥2.1694 |
12000 |
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立创商城
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英飞凌(INFINEON)
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TO-220
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500+:￥1.199 100+:￥1.2944 50+:￥1.3625 20+:￥1.9075 10+:￥2.725 1+:￥4.4349 |
24979 |
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500+:￥1.34 100+:￥1.55 20+:￥2.14 1+:￥2.35 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 58 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 760 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 79W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |