2N7002BKW,115
Nexperia(安世)
SC-70
¥0.116424
504,714
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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2N7002BKW,115
Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.06004

3000

18+
1-3工作日发货
2N7002BKW,115
NEXPERIA
SOT-323

1000+:¥0.1164

100+:¥0.1631

1+:¥0.194

8128

2230
现货最快4H发
2N7002BKW,115
Nexperia(安世)
SC-70(SOT-323)

3000+:¥0.124

600+:¥0.132

200+:¥0.155

20+:¥0.199

3560

20+/22+
2N7002BKW,115
Nexperia(安世)
SC-70

9000+:¥0.1611

6000+:¥0.1712

3000+:¥0.1914

300+:¥0.2361

100+:¥0.2708

10+:¥0.3401

840

-
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Nexperia(安世)
SOT323

3000+:¥0.1758

1500+:¥0.2022

1000+:¥0.2467

100+:¥0.3157

1+:¥0.4168

15163

-
3天-5天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 310mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 275mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323