FDN337N
onsemi(安森美)
SOT-23-3
¥0.33
173,328
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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ON(安森美)
SuperSOT-3

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FDN337N
ON(安森美)
SOT-23-3

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FDN337N
onsemi(安森美)
SOT-23-3

6000+:¥0.3433

3000+:¥0.3657

500+:¥0.4103

150+:¥0.4661

50+:¥0.5405

5+:¥0.6893

23865

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FDN337N
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.363

6000+:¥0.3918

3000+:¥0.4125

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100+:¥0.825

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7575

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FDN337N
ON(安森美)
SOT-23-3

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 300 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3