BSP170PH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-223
¥1.51
15,531
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):1.9A,导通电阻(RDS(on)):300mΩ@10V,1.9A
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BSP170PH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-223

1000+:¥1.51

500+:¥1.6

100+:¥1.77

30+:¥2.13

10+:¥2.42

1+:¥3.1

1969

-
立即发货
BSP170PH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-223

1000+:¥1.51

100+:¥1.81

20+:¥2.35

1+:¥3.15

2562

24+/25+
BSP170PH6327
英飞凌(INFINEON)
SOT-223-4

10000+:¥1.87

2000+:¥2.0188

1000+:¥2.125

500+:¥2.975

100+:¥4.25

10+:¥6.9169

11000

-
BSP170PH6327
Infineon Technologies/IR
SOT-223

10000+:¥1.921

5000+:¥1.955

1000+:¥2.006

10+:¥2.125

10780

-
3-5工作日
BSP170PH6327
Infineon Technologies
SOT-223

10000+:¥2.1301

5000+:¥2.1678

3000+:¥2.2243

1000+:¥2.262

50000

-
5-7工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 1.9A
导通电阻(RDS(on)) 300mΩ@10V,1.9A