DMP4051LK3-13
DIODES(美台)
TO-252(DPAK)
¥0.65832
34,804
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DMP4051LK3-13
DIODES(美台)
TO252

2500+:¥0.633

1+:¥0.683

13505

25+
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DMP4051LK3-13
Diodes(美台)
TO-252-3

2500+:¥0.65832

1+:¥0.71032

9948

25+
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DMP4051LK3-13
美台(DIODES)
TO-252-3

25000+:¥0.6589

5000+:¥0.7114

2500+:¥0.7488

800+:¥1.0483

200+:¥1.4976

10+:¥2.4374

5000

-
DMP4051LK3-13
Diodes(达尔)
DPAK

2500+:¥0.6963

1250+:¥0.7513

100+:¥0.8866

50+:¥1.155

9949

-
3天-15天
DMP4051LK3-13
DIODES(美台)
TO252-3

2500+:¥0.78

500+:¥0.89

50+:¥1.05

5+:¥1.48

5262

24+/25+

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 51 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 14 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 674 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 2.14W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63