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SI2310-TP
MCC(美微科)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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SI2310-TP
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MCC(美微科)
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SOT-23
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3000+:￥0.128 1+:￥0.145 |
50294 |
25+
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圣禾堂
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SI2310-TP
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MCC(美微科)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.13312 1+:￥0.1508 |
50288 |
25+
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硬之城
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SI2310-TP
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MCC
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SOT-23
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3000+:￥0.1333 100+:￥0.1363 1+:￥0.1402 |
7838 |
2450
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现货最快4H发
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京北通宇
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SI2310-TP
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美微科(MCC)
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SOT-23
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30000+:￥0.1408 6000+:￥0.152 3000+:￥0.16 800+:￥0.224 100+:￥0.32 20+:￥0.5208 |
50294 |
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油柑网
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SI2310-TP
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MCC(美微科)
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SOT-23
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6000+:￥0.1429 3000+:￥0.1588 300+:￥0.1788 100+:￥0.2054 10+:￥0.2585 |
8770 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 247 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |