咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，2.7V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：65A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：220mV @ 50mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4.6A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：1W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Ta），30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：9.5mΩ@10V；14mΩ@4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：36A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：96A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：5A，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：1W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：12V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 5A，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@10V
可控硅类型：1个双向可控硅，门极触发电压(Vgt)：1.5V，保持电流(Ih)：25mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：240 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：480mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3.3V，10V
FET 类型：2 N 和 2 P 沟道（半桥），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A，4.2A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 5A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3V，8V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，5V
漏源电压(Vdss)：75V，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V,35A，耗散功率(Pd)：103W，阈值电压(Vgs(th))：4V@250uA
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：97A，导通电阻(RDS(on))：5mΩ@10V，耗散功率(Pd)：78W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.2V @ 375mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta），32A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：55V，连续漏极电流(Id)：74A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,38A，耗散功率(Pd)：200W
漏源电压(Vdss)：55V，连续漏极电流(Id)：110A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，耗散功率(Pd)：200W
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 7.3A，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：2mΩ@4.5V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V；25mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：180A，导通电阻(RDS(on))：2.5mΩ@10V,90A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.8mΩ@10V,75A
门极触发电压(Vgt)：1.5V，保持电流(Ih)：80mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V，门极触发电流(Igt)：50mA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：250mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2Ω@4.5V,100mA
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：246mW，直流电流增益(hFE)：35@10mA,10V