MMBT489LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.58
3,935
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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MMBT489LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.58

1+:¥0.623

831

22+
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MMBT489LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

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1+:¥0.64792

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MMBT489LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

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6000+:¥0.6888

3000+:¥0.725

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200+:¥1.45

10+:¥2.3599

831

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MMBT489LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1+:¥0.7148

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MMBT489LT1G
ON(安森美)
SOT-23

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50+:¥1.0241

831

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 300 @ 500mA,5V
功率 - 最大值 710 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3