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PMZ350UPEYL
Nexperia(安世)
X1-DFN1006-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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PMZ350UPEYL
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Nexperia(安世)
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X1-DFN1006-3
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20000+:￥0.0898 10000+:￥0.0965 2000+:￥0.1092 600+:￥0.125 200+:￥0.1494 20+:￥0.1935 |
280 |
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立创商城
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Nexperia(安世)
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DFN-1006-3
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10000+:￥0.14 1+:￥0.154 |
8140 |
25+
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圣禾堂
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Nexperia(安世)
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SOT883
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10000+:￥0.1423 5000+:￥0.1637 1000+:￥0.1997 100+:￥0.2556 1+:￥0.3374 |
1800 |
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3天-5天
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Nexperia(安世)
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10000+:￥0.1456 1+:￥0.16016 |
8139 |
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10000+:￥0.15915 |
60000 |
24+
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 450 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.9 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 127 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta），3.125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |