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ZVN3320FTA
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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ZVN3320FTA
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.435 1+:￥0.466 |
6203 |
23+
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圣禾堂
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Diodes(美台)
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SOT-23
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3000+:￥0.4524 1+:￥0.48464 |
6201 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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ZVN3320FTA
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DIODES(美台)
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SOT-23
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6000+:￥0.4691 3000+:￥0.5007 500+:￥0.5533 150+:￥0.6714 50+:￥0.7661 5+:￥0.987 |
14335 |
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Diodes(达尔)
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SOT-23
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200+:￥0.5632 70+:￥0.8162 |
6203 |
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唯样商城
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DIODES(美台)
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SOT-23
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500+:￥0.8353 100+:￥0.88 10+:￥0.9695 1+:￥1.0068 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 45 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 330mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |