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AOD482
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252-2(DPAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta），32A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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AOD482
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AOS
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TO252
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2500+:￥1.3 1+:￥1.37 |
19029 |
25+
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圣禾堂
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AOD482
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AOS(美国万代)
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TO-252-3
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2500+:￥1.352 1+:￥1.4248 |
18965 |
25+
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硬之城
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AOD482
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AOS(美国万代)
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TO-252-3
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2500+:￥1.456 1+:￥1.5288 |
3958 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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AOD482
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AOS
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TO-252-2(DPAK)
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1000+:￥1.48 500+:￥1.57 100+:￥1.72 30+:￥2.06 10+:￥2.33 1+:￥2.96 |
2331 |
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立创商城
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AOD482
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AOS(美国万代)
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TO-252(DPAK)
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500+:￥1.5386 10+:￥2.2834 1+:￥2.9008 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Ta），32A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 37 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 44 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2000 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），100W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |