AON6414AL
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
PDFN-8(5.9x5.2)
¥0.48405
12,868
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A(Ta),30A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AON6414AL
AOS
DFN5x6-8L EP1

3000+:¥0.519

1+:¥0.558

1395

2年内
立即发货
AON6414AL
AOS(美国万代)
DFN-8(5x6)

3000+:¥0.624

1+:¥0.6708

1342

2年内
1-2工作日发货
AON6414AL
AOS
PDFN-8(5.9x5.2)

500+:¥0.64

150+:¥0.79

50+:¥0.86

5+:¥1.15

5364

21+/24+
AON6414AL
AOS
PDFN-8(5.9x5.2)

500+:¥0.64

150+:¥0.79

50+:¥0.86

5+:¥1.15

1390

24+/25+
AON6414AL
AOS
PDFN-8(5.9x5.2)

30000+:¥0.66

6000+:¥0.7125

3000+:¥0.75

800+:¥1.05

100+:¥1.5

20+:¥2.4414

1343

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A(Ta),30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 24 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1380 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 2.3W(Ta),31W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘