HSCE2530
HUASHUO(华朔)
DFN3.3x3.3-8
¥2.0995
2,984
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):50A,导通电阻(RDS(on)):2mΩ@4.5V,20A
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HSCE2530
HUASHUO(华朔)
DFN3.3x3.3-8

1000+:¥2.0995

500+:¥2.2135

100+:¥2.888

30+:¥3.268

10+:¥3.6575

1+:¥4.4365

2014

-
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HSCE2530
HUASHUO(华朔)
DFN(3.3x3.3)

500+:¥2.79

100+:¥3.05

20+:¥3.89

1+:¥4.53

970

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 50A
导通电阻(RDS(on)) 2mΩ@4.5V,20A