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IRLL110TRPBF
VISHAY(威世)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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IRLL110TRPBF
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VISHAY(威世)
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SOT-223-4
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2500+:￥1.07 1+:￥1.14 |
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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2500+:￥1.1128 1+:￥1.1856 |
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硬之城
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VISHAY(威世)
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SOT-223
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1000+:￥1.12 500+:￥1.2 100+:￥1.44 30+:￥1.73 10+:￥1.97 1+:￥2.51 |
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Vishay(威世)
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SOT-223
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2500+:￥1.177 1250+:￥1.254 100+:￥1.441 30+:￥1.881 |
2987 |
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威世(VISHAY)
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SOT-223
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25000+:￥1.2276 5000+:￥1.3253 2500+:￥1.395 800+:￥1.953 200+:￥2.79 10+:￥4.5407 |
2500 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 540 毫欧 @ 900mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.1 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），3.1W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |