DMN24H3D5L-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.9504
6,898
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):240 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):480mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):3.3V,10V
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DMN24H3D5L-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.9504

6000+:¥1.026

3000+:¥1.08

800+:¥1.512

100+:¥2.16

20+:¥3.5154

759

-
DMN24H3D5L-7
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.9844

500+:¥1.0822

150+:¥1.3018

50+:¥1.4779

5+:¥1.8886

5380

-
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DMN24H3D5L-7
Diodes(达尔)
SOT-23-3

750+:¥1.0637

100+:¥1.188

40+:¥1.496

759

-
3天-15天
DMN24H3D5L-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.864

1+:¥0.913

760

25+
立即发货
DMN24H3D5L-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.89856

1500+:¥0.94952

750+:¥1.00568

100+:¥1.1232

1+:¥1.4144

759

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 480mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3.3V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.5 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 188 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 760mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3