SIA517DJ-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK-SC-70-6-Dual
¥0.81
70,288
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):12V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V
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SIA517DJ-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK® SC-70-6 双

3000+:¥0.81

1+:¥0.93

20359

25+
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SIA517DJ-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK-SC-70-6-Dual

6000+:¥0.841

3000+:¥0.8998

500+:¥0.9978

150+:¥1.2178

50+:¥1.3941

5+:¥1.8054

8450

-
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SIA517DJ-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPAK-SC-70-6-Dual

3000+:¥0.8424

1+:¥0.9672

5357

25+
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SIA517DJ-T1-GE3
威世(VISHAY)
PowerPAK-SC-70-6-Dual

30000+:¥0.8701

6000+:¥0.9394

3000+:¥0.9888

800+:¥1.3843

200+:¥1.9776

10+:¥3.2186

15000

-
SIA517DJ-T1-GE3
Vishay(威世)
DFN6_2.05X2.05MM

500+:¥0.8893

100+:¥0.937

10+:¥1.0323

1+:¥1.072

436

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 29 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 15nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 500pF @ 6V
功率 - 最大值 6.5W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6 双