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NDS355AN
onsemi(安森美)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NDS355AN
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.67851 1000+:￥0.69111 500+:￥0.70371 100+:￥0.71568 10+:￥0.7245 |
56005 |
24+
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现货
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硬之城
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NDS355AN
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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6000+:￥0.6961 3000+:￥0.7409 500+:￥0.8844 150+:￥1.0519 50+:￥1.1861 5+:￥1.4993 |
7060 |
-
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立即发货
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立创商城
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NDS355AN
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ON(安森美)
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SuperSOT-3
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3000+:￥0.75 1+:￥0.808 |
1800 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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NDS355AN
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.75928 1000+:￥0.77338 500+:￥0.78748 100+:￥0.80088 10+:￥0.81075 |
940 |
22+
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现货
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硬之城
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NDS355AN
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.78 1+:￥0.84032 |
4799 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 195 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |