咨询/建议
IPD034N06N3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IPD034N06N3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252-2(DPAK)
|
2500+:￥2.9 1+:￥3.03 |
3970 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
IPD034N06N3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252
|
500+:￥3.26 100+:￥3.76 30+:￥4.36 10+:￥4.96 1+:￥6.17 |
901 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IPD034N06N3G
|
英飞凌(INFINEON)
|
TO-252-2(DPAK)
|
1000+:￥5.9467 500+:￥6.8387 100+:￥7.4334 30+:￥8.3254 10+:￥10.1094 1+:￥11.8934 |
0 |
-
|
油柑网
|
|
|
IPD034N06N3GATMA1
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252
|
1000+:￥6.4015 500+:￥6.5485 100+:￥6.867 30+:￥7.5635 10+:￥8.2495 1+:￥9.408 |
8 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.4 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 93µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 130 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 11000 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 167W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |