MJD32CT4G
onsemi(安森美)
TO-252(DPAK)
¥1.21
60,185
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.2V @ 375mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):50µA
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MJD32CT4G
ON(安森美)
TO-252-3

2500+:¥1.21

1+:¥1.27

3885

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MJD32CT4G
onsemi(安森美)
TO-252(DPAK)

1000+:¥1.24

500+:¥1.34

100+:¥1.5

30+:¥1.85

10+:¥2.13

1+:¥2.8

3428

-
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MJD32CT4G
安森美(onsemi)
TO-252-2(DPAK)

25000+:¥1.243

5000+:¥1.3419

2500+:¥1.4125

800+:¥1.9775

200+:¥2.825

10+:¥4.5977

42526

-
MJD32CT4G
ON(安森美)
TO-252-2(DPAK)

2500+:¥1.2584

1+:¥1.3208

3878

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MJD32CT4G
ON(安森美)
DPAK

2500+:¥1.331

1250+:¥1.397

100+:¥1.606

30+:¥2.079

3915

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3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 100 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1.2V @ 375mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值) 50µA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 10 @ 3A,4V
功率 - 最大值 1.56 W
频率 - 跃迁 3MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63