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CSD17313Q2
TI(德州仪器)
WSON-6(2x2)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3V，8V
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封装
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价格(含税)
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渠道
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TI
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6-WSON
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100+:￥0.9508 1+:￥1.2419 |
4343 |
2142
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现货最快4H发
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京北通宇
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TI(德州仪器)
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WSON-6(2x2)
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500+:￥1.1432 150+:￥1.3781 50+:￥1.5663 5+:￥2.0054 |
1015 |
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立即发货
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立创商城
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TI(德州仪器)
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WSON6
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500+:￥5.75 150+:￥6.7 50+:￥7.45 5+:￥9.25 |
3500 |
21+
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在芯间
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Texas Instruments
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1000+:￥1.1514 500+:￥1.212 100+:￥1.2928 |
550 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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Texas Instruments
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3000+:￥1.344 |
274442 |
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10-12工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 3V，8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 4A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | +10V，-8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | External:Taiwan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | External:1 |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:3 |