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CSD18533Q5A
TI(德州仪器)
VSONP-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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TI(德州仪器)
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8-VSONP（5x6）
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2500+:￥2.49 1+:￥2.6 |
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圣禾堂
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TI(德州仪器)
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VSONP-8
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2500+:￥2.5896 1+:￥2.704 |
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25+
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硬之城
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TI(德州仪器)
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VSONP8_4.9X5.75MM
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500+:￥2.6633 100+:￥2.806 10+:￥3.0914 1+:￥3.2103 |
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华秋商城
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德州仪器(TI)
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VSONP-8
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25000+:￥2.9297 5000+:￥3.1627 2500+:￥3.3292 800+:￥4.6609 200+:￥4.6914 10+:￥4.8244 |
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油柑网
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TI(德州仪器)
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8-VSONP(5x6)
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100+:￥3.146 20+:￥3.784 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.9 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 36 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2750 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），116W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |