SI2310AHE3-TP
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.158
18,432
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):3A,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@4.5V,2A
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SI2310AHE3-TP
MCC(美微科)
SOT-23

3000+:¥0.158

1+:¥0.179

5899

25+
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SI2310AHE3-TP
MCC(美微科)
SOT-23

3000+:¥0.16432

1+:¥0.18616

5893

25+
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SI2310AHE3-TP
MCC(美微科)
SOT-23

6000+:¥0.1768

3000+:¥0.1993

300+:¥0.2274

100+:¥0.2648

10+:¥0.3397

6640

-
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SI2310AHE3-TP
Micro Commercial Components
SOT-23

15000+:¥0.168

9000+:¥0.1708

3000+:¥0.175

588000

-
3-5工作日
SI2310AHE3-TP
MCC(美微科)
SOT-23

60000+:¥0.1747

45000+:¥0.177

3000+:¥0.1781

1500+:¥0.2016

200+:¥0.2318

1+:¥0.3595

5900

25+
2-5工作日

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 3A
导通电阻(RDS(on)) 120mΩ@4.5V,2A