2N7002KQ-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.16432
104,721
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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2N7002KQ-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.158

1+:¥0.18

22980

24+
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Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.16432

1+:¥0.1872

11624

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DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.165

300+:¥0.204

100+:¥0.233

10+:¥0.292

7920

21+/22+
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美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.1804

6000+:¥0.1948

3000+:¥0.205

800+:¥0.287

100+:¥0.41

20+:¥0.6673

69000

-
2N7002KQ-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23

50+:¥0.2009

1+:¥0.2058

298

2445
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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 380mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 370mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3