HXY80N03DF
华轩阳
DFN-8L(3x3)
¥0.5035
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场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):80A,导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V
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HXY80N03DF
HXY MOSFET(华轩阳电子)
DFN-8L(3x3)

500+:¥0.5035

150+:¥0.5116

50+:¥0.5196

5+:¥0.5317

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 80A
导通电阻(RDS(on)) 6mΩ@10V